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| 规格书 |
 NTTS2P03R2 |
| 文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.1A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 85 mOhm @ 2.48A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 500pF @ 24V |
| 功率 - 最大 | 600mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.48A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| 供应商设备封装 | Micro8™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 85 mOhm @ 2.48A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 600mW |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 500pF @ 24V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22nC @ 4.5V |
| 其他名称 | NTTS2P03R2GOSCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| associated | NTTS2P03R2G |
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